解密：华为与海尔十年沉浮录

JournalofEnergyChemistry具体的报道范围包括：解密(1)化石能源优化利用，解密(2)氢能，(3)电化学能转化与储存，(4)二氧化碳捕获、储存与化学利用，(5)能源材料和纳米技术，(6)生物质转化化学，(7)太阳能化学。

欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，年沉投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。浮录A粗晶铜和梯度纳米晶铜准静态拉伸工程应力-应变曲线。

S3-TB位错之间的相互作用可能导致在TB处形成可滑动位错，解密不可动位错或位错锁，以及/或相邻孪晶层的输出位错或层错，这取决于输入位错的性质。另外，年沉随着λ值的降低，加工硬化单调增加。浮录可以看出具有非共格晶界(GBs)的纳米孪晶铜的屈服强度随孪晶厚度(λ)的变化与晶粒尺寸(d)的变化趋势相同。

对于晶界强化，解密研究最多的是大角晶界强化，而关于共格内界面强化的研究相对较少。年沉梯度纳米结构独特的变形机制为优化金属材料的综合力学性能提供了潜力。

这些缺陷主要包括点缺陷、浮录位错、各种晶界，相界、第二项粒子等。

电镜表征结果显示，解密合金的表层为纳米晶，随着深度的增加，晶粒尺寸逐渐增大。主持国家自然科学基金项目2项，年沉国家973计划课题1项，国家863计划子项目3项，省部级重点项目2项，作为主要参与人完成国家和省部级项目10余项。

主要研究方向为二维纳米半导体器件输运特性及其先进电子器件应用，浮录包括气体传感器、光电探测器、多值反相器、倍频器，多态闪存。因此在同一种掺杂工艺下，解密在同一芯片内同时实现逻辑运算电路和高容量存储器的构建，实现近存储运算，可以突破冯·诺依曼瓶颈，提高处理效率。

该光电掺杂的详细机理阐述，年沉请参考我们以前的工作：年沉Wu,E.X.;Xie,Y.;Zhang,J.;Zhang,H.;Hu,X.D.;Liu,J.;Zhou,C.W.;Zhang,D.H.DynamicallycontrollablepolaritymodulationofMoTe2 field-effecttransistorsthroughultravioletlightandelectrostaticactivation.Sci.Adv.2019,5,eaav3430本文参考文献：Wu,E.,Xie,Y.,Wang,S.etal.Non-volatileprogrammablehomogeneouslateralMoTe2 junctionformulti-bitflashmemoryandhigh-performanceoptoelectronics.NanoRes.(2020).https://doi.org/10.1007/s12274-020-3041-0图文导读图1：器件结构及电学性能表征图2：MoTe2光电p和n掺杂电学性能表征及其原理示意图图3：MoTe2在p和n掺杂过程中形成的3-bitMoTe2闪存图4：可编程的MoTe2同质结：pn,np,pp和nn结通讯作者及团队介绍胡晓东天津大学教授。(3)利用光电掺杂的区域可控性，浮录实现了可编程的MoTe2同质结，包括nn，pp，pn和np结。